PL图谱分辨仪


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标准配置
LED╱LD生产用光致发光及外延层厚度测量系统(适用于2、3、4、6英寸外延片)

技术参数表

主机规格

基本型号YWAFER-GS6YWAFER-GS6-RTYWAFER-GS6-RYWAFER-GS6-PL
光学可测范围及灵敏度型号一览 UVVIS: 280~850nm
VISNIR: 350~1030nm
UVNIR: 200~1100nm
NIR: 900~1600nm (适用近红外线的冷却InGaAs检波器)
540NIR: 540~1100nm (红色高灵敏性)
UVNIR-HISENS: 200~1100nm (紫外线高灵敏性)
载片尺寸 2、3、4、6英寸
GS6-RDHLD: 1/4截断外延片托盘(选配)
GS6-2.5HLD: 2.5英寸外延片托盘(选配)
GS6-2x3HLD: 2英寸外延片×3配套托盘(选配)
外延片传送方式 手动
映像间隔 0.04mm~(0.1mm 精度)
透射测量 测量项目 平均反射率
外延层厚度(按GaN外延层厚度换算)
不可使用
精度╱可重复性 1%以内(0.5~50µm的GaN外延层情况下)╱10nm以内 不可使用
反射测量 测量项目 不可使用 平均反射率
外延层厚度(按GaN外延层厚度换算)
表面粗糙度/分散
DBR(分布布拉格反射镜)特性
不可使用
精度╱可重复性 不可使用 1%以内(0.5~50µm的GaN外延层情况下)╱10nm以内 不可使用
光致发光(PL)测量 测量项目 峰值波长╱相对积分强度╱相对波峰强度╱半值宽(FWHM)╱主波长(CIE波长)
波长分辨率 ~0.3nm(但在UVNIR-HISENS为~0.7nm,NIR为~2.0nm)
光强精度 3%(相对波峰峰强╱相对积分强度•YWafer强度校正功能使用时)
峰值波长反复精度 < 1nm(峰值波长╱半值高)
最小半高宽 - 1.5 nm
PL激起激光种类(最大4台) 266nm、325nm(使用外置光纤)、375nm、405nm、532nm
其它可协商
控制单元 接口 PC-based USB╱数码I/O
运行环境╱语言 搭载Microsoft WindowsTM XP的PC╱日语或英语(用户选择)
其它选配项 GS-SPCFLT : 光衰减及波长滤波器控制
GS-LASFLT : 激光强度滤波器控制
GS-CUSTHLD : 用户样品托盘
GS-TURBOSCAN :高速扫描(仅测PL)

软件

版本 YWaferController v3.06
程序语言 多线程Visual C++
操作模式 操作员、工程师、维护
特点: 清除了内部干涉影响,具有高度再现性的光谱分析。

性能

每张外延片的处理时间 手动装片╱卸片 -20 sec (依赖于操作熟练程度)
标准值(测量值校正用)测量 < 4 sec
参考:测量2英寸外延片时(min:sec)
通常高速(选配)
0.5mm间隔(测量7429点)7:553:26
1.0 mm间隔(测量1868点)2:341:02
2.0 mm间隔(测量468点)0:510:31

操作规范(主机)

运行、设置环境 场所 无尘室(1000~10000级)内
温度 15 - 35℃
湿度 < 85%RH (要求不结露)
尺寸 纵向540×横向640×高度300mm
重量 40 kg
输入电压 AC 100~240 V 50/60 Hz
消耗电力 120W以下